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气体中微量水份的测定一露点法和氧化铝电容法

日期:2017-05-07 作者: 来源: 浏览:

气体中微量水份的测定一露点法和氧化铝电容法

作  者:黎修祺 骆如枋 毛平天

机构地区:中国科学院上海冶金研究所

出  处:《低温与特气》1986年第4期 61-65,共5页
Low Temperature and Specialty Gases

摘  要:在半导体材料及电子器件生产中,要用到诸如氢、氮、氧、氩和氦等高纯气体,气体纯度严重影响产品质量。如氢,氮等气体及其流经的系统中的水份和氧,对硅及Ⅲ一V族化合物是极其有害的杂质。在硅外延工艺中,氢中水份达100vpm时,硅外延层会变成多晶结构。在MOS大规模集成电路的硅栅多晶薄膜工艺中,若稀释气体中含有微量水份,使多晶硅薄膜中夹有“氧化硅集团”,从而在刻蚀多晶硅薄膜时,造成多晶硅脱落,致使电学性能变坏。由上可知,对高纯气体及其流经系统中的微量氧和水份必须进行监测和控制。

关 键 词:微量水份 电容法 氧化铝 露点法 大规模集成电路 多晶硅薄膜 测定 高纯气体 半导体材料 电子器件 产品质量 气体纯度 外延工艺 多晶结构 硅外延层 薄膜工艺 稀释气体 电学性能 化合物 MOS 氧化硅 微量氧 系统 杂质 硅栅
 

 



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